5 gab. IRF540N MOSFET tranzistors 100V 33A 130W TO220
Zīmols: satkit
Ieskaitot PVN (Bez PVN: 1,40 €)
5 gab. IRF540N MOSFET tranzistoru 100V 33A 130W TO220 komplekts ir N-kanāla MOSFET tranzistoru komplekts, kas paredzēts elektronikas lietojumiem, kuriem nepieciešama augsta efektivitāte un liela strāvas un sprieguma vadāmspēja.
Galvenās īpašības:
- Kategorija: N-kanāla MOSFET
- Maksimālais spriegums: 100V
- Maksimālā strāva: 33A
- Iekšējā pretestība (Rds(on)): 44mΩ
- Vārtu spriegums: 20V
- Pārslēgšanās laiks: 35ns (pieaugums un kritums)
- Jaudas izkliede: 130W
- Korpuss: TO-220
- Darba temperatūras diapazons: -55°C a 175°C
Tipiskie lietojumi:
- Elektromotoru vadība DIY un profesionālos projektos.
- Jaudas pastiprinātāji un komutācijas barošanas avoti.
- Elektroniskie slēdži lielas strāvas slodzēm.
- Lietojumi robotikā un iegultajās sistēmās, kur nepieciešama augsta efektivitāte.
Saderība: Šis tranzistors ir saderīgs ar shēmām, kas darbojas tā elektrisko specifikāciju robežās, īpaši projektos, kuros nepieciešams N-kanāla MOSFET ar lielu strāvas un sprieguma vadāmspēju.
Šis 5 vienību komplekts ļauj turēt rezerves daļas vai īstenot vairākas shēmas vienlaikus, nodrošinot uzticamu un ilgmūžīgu darbību, pateicoties TO-220 korpusam, kas atvieglo siltuma izkliedi.
- 5 gab. IRF540N N-kanāla MOSFET tranzistoru komplekts
- Maksimālais spriegums 100V prasīgiem lietojumiem
- Maksimālā strāva 33A lielām slodzēm
- Zema iekšējā pretestība 44mΩ efektivitātei
- Jaudas izkliede 130W ilgstošai lietošanai
- TO-220 korpuss labākai siltuma izkliedei
- Ātrs pārslēgšanās laiks 35ns
- Darba temperatūra no -55°C līdz 175°C
Klientu jautājumi un atbildes
Kādi uzstādīšanas piesardzības pasākumi jāievēro, lai novērstu pārkaršanas vai pārmērīgas strāvas radītus bojājumus IRF540N?
Lai izvairītos no bojājumiem, ir būtiski nodrošināt pareizu siltuma novadi, izmantojot piemērotu radiatoru, ja izkliedētā jauda pārsniedz 2 W, un ievērot robežas: maks. 100 V drenāža-avots, 33 A nepārtraukti un 130 W jauda. Tāpat jāizvairās no impulsiem, kas pārsniedz 20 V vārtu spriegumu, un pirms uzstādīšanas jānodrošina aizsardzība pret elektrostatisko izlādi.
Ar kādiem vadības signāliem un loģikas shēmām IRF540N vārti ir saderīgi?
IRF540N parasti nepieciešams vismaz 10 V vārtu spriegums, lai nodrošinātu efektīvu vadīšanu, lai gan tas var sākt aktivizēties jau pie 2–4 V (Vgs(th)). Tas labi darbojas ar MOSFET draiveriem vai loģikas shēmām ar pielāgošanas pakāpi; nav ieteicams to tieši pieslēgt 3.3 V mikrokontrolleriem bez starpnieka draivera.
Kāda veida aizsardzībai vai drošības standartiem jāatbilst šo MOSFET uzstādīšanai industriālās sistēmās?
Industriālās sistēmās uzstādīšanā jāparedz aizsardzība pret pārslodzi (drošinātāji vai automātslēdži), pārejas procesu slāpēšana (flyback diodes vai varistori), kā arī jāievēro tādi standarti kā IEC 60950 (elektriskā drošība) un ESD (aizsardzība pret elektrostatisko izlādi), lai nodrošinātu drošu darbību un komponenta ilgmūžību.
Kam paredzēts IRF540N MOSFET tranzistors?
IRF540N ir N-kanāla MOSFET tranzistors, ko izmanto elektrisko slodžu ar lielu strāvu un spriegumu vadībai elektroniskās shēmās, piemēram, motoros, pastiprinātājos un barošanas avotos.
Cik vienību ir šajā komplektā?
Šajā komplektā ir 5 IRF540N MOSFET tranzistora vienības.
Kāds ir IRF540N korpuss?
IRF540N ir TO-220 korpusā, kas atvieglo siltuma izkliedi un montāžu shēmās.
Kādu maksimālo spriegumu un strāvu šis tranzistors iztur?
Tranzistors iztur maksimālo spriegumu 100V un maksimālo strāvu 33A.
Vai tas ir piemērots projektiem, kuros nepieciešama liela jaudas izkliede?
Jā, šim tranzistoram ir maksimālā jaudas izkliede 130W, kas ir piemērota lietojumiem ar lielu jaudu.